IS43R32800-5BL,IS43R32800-5BL pdf中文资料,IS43R32800-5BL引脚图,IS43R32800-5BL电路-Datasheet-电子工程世界

IS43R32800-5BL: 产品描述Synchronous DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144; 产品类别存储; 文件大小498KB，共39页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS43R32800-5BL概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144

IS43R32800-5BL规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数	144
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B144
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA144,12X12,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.4 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.04 A
最大压摆率	0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	12 mm
Base Number Matches	1

IS43R32800-5BL相似产品对比

	IS43R32800-5BL	IS43R32800-75BL	IS43R32800-6BL
描述	Synchronous DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144	Synchronous DRAM, 8MX32, 0.75ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144	Synchronous DRAM, 8MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-144
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA144,12X12,32	LFBGA, BGA144,12X12,32	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数	144	144	144
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.75 ns	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	133 MHz	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144
JESD-609代码	e1	e1	e1
长度	12 mm	12 mm	12 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32
湿度敏感等级	3	3	3
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	144	144	144
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX32	8MX32	8MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA144,12X12,32	BGA144,12X12,32	BGA144,12X12,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
自我刷新	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.04 A	0.035 A	0.035 A
最大压摆率	0.4 mA	0.36 mA	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40
宽度	12 mm	12 mm	12 mm
Base Number Matches	1	1	1
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

IS43R32800-5BL

IS43R32800-5BL概述

IS43R32800-5BL规格参数

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