Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | E-LALF-W2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
应用 | FAST RECOVERY |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | E-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 80 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 3 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ELLIPTICAL |
封装形式 | LONG FORM |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 500 V |
最大反向恢复时间 | 0.25 µs |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
1N5419BK | 1N5419TR | RNM1/4C219.6FRP | |
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描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 19.6ohm, 250V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED |
包装说明 | E-LALF-W2 | HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN | AXIAL LEADED |
Reach Compliance Code | compli | compli | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 155 °C |
最低工作温度 | -65 °C | -65 °C | -55 °C |
封装形状 | ELLIPTICAL | ELLIPTICAL | TUBULAR PACKAGE |
表面贴装 | NO | NO | NO |
针数 | 2 | 2 | - |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | - |
应用 | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY | - |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | - |
配置 | SINGLE | SINGLE | - |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | - |
JESD-30 代码 | E-LALF-W2 | E-LALF-W2 | - |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - |
最大非重复峰值正向电流 | 80 A | 80 A | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
相数 | 1 | 1 | - |
最大输出电流 | 3 A | 3 A | - |
封装主体材料 | GLASS | GLASS | - |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
最大重复峰值反向电压 | 500 V | 500 V | - |
最大反向恢复时间 | 0.25 µs | 0.25 µs | - |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | - |
端子形式 | WIRE | WIRE | - |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | - |
Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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