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1N5419BK

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小77KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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1N5419BK概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN

1N5419BK规格参数

参数名称属性值
包装说明E-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码E-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压500 V
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

1N5419BK相似产品对比

1N5419BK 1N5419TR RNM1/4C219.6FRP
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 500V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 19.6ohm, 250V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED
包装说明 E-LALF-W2 HERMETIC SEALED, GPR-3A, 2 PIN AXIAL LEADED
Reach Compliance Code compli compli unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 155 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -55 °C
封装形状 ELLIPTICAL ELLIPTICAL TUBULAR PACKAGE
表面贴装 NO NO NO
针数 2 2 -
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY -
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY -
外壳连接 ISOLATED ISOLATED -
配置 SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
JESD-30 代码 E-LALF-W2 E-LALF-W2 -
JESD-609代码 e0 e0 -
最大非重复峰值正向电流 80 A 80 A -
元件数量 1 1 -
相数 1 1 -
最大输出电流 3 A 3 A -
封装主体材料 GLASS GLASS -
封装形式 LONG FORM LONG FORM -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 500 V 500 V -
最大反向恢复时间 0.25 µs 0.25 µs -
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD -
端子形式 WIRE WIRE -
端子位置 AXIAL AXIAL -
Base Number Matches 1 1 -
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