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ICS8430S07AKILFT

产品描述Clock Generator, 133.333MHz, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2/-4, VFQFN-32
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小787KB,共26页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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ICS8430S07AKILFT在线购买

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ICS8430S07AKILFT概述

Clock Generator, 133.333MHz, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2/-4, VFQFN-32

ICS8430S07AKILFT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFN
包装说明HVQCCN,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
JESD-30 代码S-XQCC-N32
JESD-609代码e3
长度5 mm
端子数量32
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出时钟频率133.333 MHz
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码HVQCCN
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
主时钟/晶体标称频率25 MHz
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大供电电压3.465 V
最小供电电压3.135 V
标称供电电压3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches1

文档解析

ICS8430S07I时钟发生器的功耗可以通过查看数据手册中提供的信息来计算。在提供的文件内容中,有关于功耗的详细计算,具体如下:

  1. 核心和LVPECL输出功耗

    • 最大核心功耗 Pcore_MAX=VDDMAX×(IEE_MAX+IDDA+IDDO)P_{\text{core\_MAX}} = VDD_{\text{MAX}} \times (I_{\text{EE\_MAX}} + I_{\text{DDA}} + I_{\text{DDO}})
    • 其中 VDDMAX=3.465VVDD_{\text{MAX}} = 3.465V(VDD的最高电压),IEE_MAX=170mAI_{\text{EE\_MAX}} = 170mAIDDA=20mAI_{\text{DDA}} = 20mAIDDO=25mAI_{\text{DDO}} = 25mA
    • 计算结果为 744.98mW744.98mW
  2. LVCMOS输出功耗

    • 每个LVCMOS输出由于负载产生的功耗 PROUT=10.7mWP_{\text{ROUT}} = 10.7mW 每个输出
    • 总共有6个LVCMOS输出,因此总功耗 PROUT_TOTAL=64.2mWP_{\text{ROUT\_TOTAL}} = 64.2mW
  3. 动态功耗

    • 在25MHz时,每个输出的动态功耗 P25MHz=1.5mWP_{\text{25MHz}} = 1.5mW
    • 在125MHz时,每个输出的动态功耗 P125MHz=8mWP_{\text{125MHz}} = 8mW
    • 总动态功耗 PDYNAMIC=24mW+4.5mW=28.5mWP_{\text{DYNAMIC}} = 24mW + 4.5mW = 28.5mW
  4. 总功耗

    • PTOTAL=Pcore+PLVPECL_OUTPUT+PROUT_TOTAL+PDYNAMICP_{\text{TOTAL}} = P_{\text{core}} + P_{\text{LVPECL\_OUTPUT}} + P_{\text{ROUT\_TOTAL}} + P_{\text{DYNAMIC}}
    • 计算结果为 745mW+30mW+64.2mW+28.5mW=867.7mW745mW + 30mW + 64.2mW + 28.5mW = 867.7mW

因此,根据数据手册中的示例计算,ICS8430S07I时钟发生器的最大理论功耗大约是867.7毫瓦特(mW)。需要注意的是,这个值是在最坏情况下的估算,实际应用中的功耗可能会根据具体的使用条件和配置有所不同。

ICS8430S07AKILFT相似产品对比

ICS8430S07AKILFT ICS8430S07AKILF
描述 Clock Generator, 133.333MHz, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2/-4, VFQFN-32 Clock Generator, 133.333MHz, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2/-4, VFQFN-32
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFN QFN
包装说明 HVQCCN, HVQCCN,
针数 32 32
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
JESD-30 代码 S-XQCC-N32 S-XQCC-N32
JESD-609代码 e3 e3
长度 5 mm 5 mm
端子数量 32 32
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
最大输出时钟频率 133.333 MHz 133.333 MHz
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 HVQCCN HVQCCN
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
主时钟/晶体标称频率 25 MHz 25 MHz
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1 mm
最大供电电压 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
宽度 5 mm 5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 CLOCK GENERATOR, OTHER CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches 1 1
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