813N2532AKILF,813N2532AKILF pdf中文资料,813N2532AKILF引脚图,813N2532AKILF电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 嵌入式处理器和控制器> 微控制器和处理器> 813N2532AKILF

813N2532AKILF: 产品描述Clock Generator, 156.25MHz, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2, VFQFN-32; 产品类别嵌入式处理器和控制器微控制器和处理器; 文件大小324KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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813N2532AKILF概述

Clock Generator, 156.25MHz, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2, VFQFN-32

813N2532AKILF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFN
包装说明	5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2, VFQFN-32
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
JESD-30 代码	S-XQCC-N32
JESD-609代码	e3
长度	5 mm
湿度敏感等级	3
端子数量	32
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
最大输出时钟频率	156.25 MHz
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	HVQCCN
封装等效代码	LCC32,.2SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3.3 V
主时钟/晶体标称频率	38.88 MHz
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大压摆率	300 mA
最大供电电压	3.465 V
最小供电电压	3.135 V
标称供电电压	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型	CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches	1

813N2532AKILF相似产品对比

	813N2532AKILF	813N2532AKILFT
描述	Clock Generator, 156.25MHz, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2, VFQFN-32	Clock Generator, 156.25MHz, 5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2, VFQFN-32
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFN	QFN
包装说明	5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2, VFQFN-32	5 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-220VHHD-2, VFQFN-32
针数	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
JESD-30 代码	S-XQCC-N32	S-XQCC-N32
JESD-609代码	e3	e3
长度	5 mm	5 mm
湿度敏感等级	3	3
端子数量	32	32
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
最大输出时钟频率	156.25 MHz	156.25 MHz
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	HVQCCN	HVQCCN
封装等效代码	LCC32,.2SQ,20	LCC32,.2SQ,20
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
电源	3.3 V	3.3 V
主时钟/晶体标称频率	38.88 MHz	38.88 MHz
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1 mm	1 mm
最大压摆率	300 mA	300 mA
最大供电电压	3.465 V	3.465 V
最小供电电压	3.135 V	3.135 V
标称供电电压	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
宽度	5 mm	5 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型	CLOCK GENERATOR, OTHER	CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches	1	1

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