UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
单向, 硅, 瞬态抑制二极管
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | ON Semiconduc |
是否无铅 | 不含铅 |
包装说明 | R-PDSO-F2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | 514AB |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 11 V |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性 | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散 | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | AEC-Q101; IEC-61000-4-2 |
最大重复峰值反向电压 | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
Base Number Matches | 1 |
ESD9C5.0ST5G | ESD9C3.3ST5G | ESD9CxxST5G | |
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描述 | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
最小击穿电压 | 11 V | 5 V | 5 V |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | 硅 |
二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
极性 | UNIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL | 单向 |
表面贴装 | YES | YES | Yes |
端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL | 双 |
Brand Name | ON Semiconduc | ON Semiconduc | - |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | - |
针数 | 2 | 2 | - |
制造商包装代码 | 514AB | 514AB | - |
Reach Compliance Code | compli | compli | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
配置 | SINGLE | SINGLE | - |
JESD-30 代码 | R-PDSO-F2 | R-PDSO-F2 | - |
JESD-609代码 | e3 | e3 | - |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | - |
最大功率耗散 | 0.15 W | 0.15 W | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
最大重复峰值反向电压 | 5 V | 3.3 V | - |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE | - |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | - |
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