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71V65903S80BGGI8: 产品描述ZBT SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小607KB，共23页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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71V65903S80BGGI8概述

ZBT SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100

71V65903S80BGGI8规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	BGA,
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	8 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
长度	22 mm
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	119
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
座面最大高度	2.36 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

71V65903S80BGGI8相似产品对比

	71V65903S80BGGI8	71V65903S85BQGI8	71V65903S85BGGI8	71V65903S80BGG8	71V65703S75BGGI8	71V65703S75BQGI8
描述	ZBT SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, GREEN, FPBGA-165	ZBT SRAM, 512KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100	ZBT SRAM, 512KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100	ZBT SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO-136DJ, TQFP-100	ZBT SRAM, 256KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, GREEN, FPBGA-165
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	BGA,	TBGA,	BGA,	BGA,	BGA,	TBGA,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	8 ns	8.5 ns	8.5 ns	8 ns	7.5 ns	7.5 ns
其他特性	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B165
长度	22 mm	15 mm	22 mm	22 mm	22 mm	15 mm
内存密度	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	165	119	119	119	165
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	262144 words	262144 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C
组织	512KX18	512KX18	512KX18	512KX18	256KX36	256KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	TBGA	BGA	BGA	BGA	TBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
座面最大高度	2.36 mm	1.2 mm	2.36 mm	2.36 mm	2.36 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	13 mm	14 mm	14 mm	14 mm	13 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

71V65903S80BGGI8

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71V65903S80BGGI8规格参数

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