5962-8872503LA概述

Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24

5962-8872503LA规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
包装说明	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	55 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T24
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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	5962-8872503LA	5962-8854402YA	5962-8854402XA	5962-8872502LA	5962-8872503XA	5962-8854403YA	5962-8872502XA	5962-8854402LA	5962-8854403XA	5962-8854403LA
描述	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDFP28, CERAMIC, DFP-28	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
包装说明	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	CERAMIC, DFP-28	CERAMIC, LCC-28	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	CERAMIC, LCC-28	CERAMIC, DFP-28	CERAMIC, LCC-28	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24	CERAMIC, LCC-28	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	55 ns	45 ns	45 ns	45 ns	55 ns	55 ns	45 ns	45 ns	55 ns	55 ns
JESD-30 代码	R-CDIP-T24	R-CDFP-F28	R-CQCC-N28	R-CDIP-T24	R-CQCC-N28	R-CDFP-F28	R-CQCC-N28	R-CDIP-T24	R-CQCC-N28	R-CDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	28	28	24	28	28	28	24	28	24
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	DFP	QCCN	DIP	QCCN	DFP	QCCN	DIP	QCCN	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	FLATPACK	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	3.302 mm	3.048 mm	5.08 mm	3.048 mm	3.302 mm	3.048 mm	5.08 mm	3.048 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO	YES	YES	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	FLAT	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	FLAT	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL
宽度	7.62 mm	10.16 mm	8.89 mm	7.62 mm	8.89 mm	10.16 mm	8.89 mm	7.62 mm	8.89 mm	7.62 mm
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	-	-	-	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	1	-

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