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10EHA20

产品描述SCHOTTKY BARRIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小104KB,共6页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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10EHA20概述

SCHOTTKY BARRIER DIODE

10EHA20规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nihon Inter Electronics Corporation
零件包装代码AXIAL DIODE
包装说明O-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1A 200V
SBD
構造
Type
10EHA20
■OUTLINE DRAWING
:ショットキバリア・ダイオード(SBD)
リード線型
Construction: Schottky barrier Diode
Axial Lead Type
用途
:高周波整流用
Application: High Frequency Rectification
■最大定格 / Maximum Ratings
Rating
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
平均整流電流
Average Rectified Output Current
実効順電流
RMS Forward Current
サージ順電流
Surge Forward Current
動½接合温度範囲
Operating JunctionTemperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
1.0
I
O
0.9
I
F(RMS)
I
FSM
Tjw
Tstg
20
Approx Net Weight:0.17g
10EHA20
200
Ta=40℃
Ta=25℃
1.57
50Hz 正弦半波, 1サイクル, 非くり返し
Half Sine Wave,1cycle,Non-repetitive
- 40 ∼ + 150
- 40 ∼ + 150
50Hz,正弦半波通電
Half Sine Wave
抵抗負荷
Resistive Load
Unit
V
A
A
A
■電気的・熱的特性 / Electrical/Thermal Characteristics
Characteristics
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
熱抵抗
Thermal Resistance
Symbol
I
RM
V
FM
Rth(j-a)
Conditions
Tj= 25 ℃, V
RM
= V
RRM
Tj= 25 ℃, I
FM
= 1 A
P.C.Board mounted*
Without P.C.Board mounted
Min. Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
200
0.90
110
140
Unit
μA
V
℃/W
:Print Lands =5½5mm,Both sides

 
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