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1N3061

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.125A, 30000V V(RRM), Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共1页
制造商Semitronics Corp
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1N3061概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.125A, 30000V V(RRM), Silicon

1N3061规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)125 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流8 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度165 °C
最大输出电流0.125 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30000 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1
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