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43CTQ080G-1

产品描述20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小225KB,共7页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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43CTQ080G-1概述

20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA

43CTQ080G-1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-262AA
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.67 V
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流275 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Bulletin PD-20834 rev. A 02/07
43CTQ...GS
43CTQ...G-1
SCHOTTKY RECTIFIER
40 Amp
I
F(AV)
= 40 Amp
V
R
= 80 - 100V
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
I
F(AV)
Rectangular
waveform
V
RRM
I
FSM
@ tp = 5
μs
sine
V
F
T
J
@ 20 Apk, T
J
= 125°C
(per leg)
range
Description/ Features
Units
A
V
A
V
This center tap Schottky rectifier series has been optimized for
low reverse leakage at high temperature. The proprietary
barrier technology allows for reliable operation up to 175°C
junction temperature. Typical applications are in switching
power supplies, converters, free-wheeling diodes, and re-
verse battery protection.
175° C T
J
operation
Center tap configuration
Low forward voltage drop
High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
Values
40
80 - 100
850
0.67
- 55 to 175
°C
Case Styles
43CTQ...GS
43CTQ...G-1
Base
Common
Cathode
2
Base
Common
Cathode
2
1
Anode
2
Common
Cathode
3
Anode
1
Anode
2
Common
Cathode
3
Anode
D
2
PAK
www.irf.com
TO-262
1

43CTQ080G-1相似产品对比

43CTQ080G-1 43CTQ080GS 43CTQ100G-1 43CTQ100GS
描述 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA 20 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-262AA TO-263 TO-262AA TO-263
包装说明 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 PLASTIC, TO-262, 3 PIN PLASTIC, D2PAK-3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.67 V 0.67 V 0.67 V 0.67 V
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 275 A 275 A 275 A 275 A
元件数量 2 2 2 2
相数 1 1 1 1
端子数量 3 2 3 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 20 A 20 A 20 A 20 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 80 V 80 V 100 V 100 V
表面贴装 NO YES NO YES
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30
Base Number Matches 1 1 1 1

 
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