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NSS20201MR6

产品描述2 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小38KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NSS20201MR6概述

2 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

NSS20201MR6规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流2 A
最大集电极发射极电压20 V
端子数量6
加工封装描述LEAD FREE, CASE 318G-02, TSOP-6
each_compliYes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态Active
结构SINGLE
最小直流放大倍数200
jesd_30_codeR-PDSO-G6
jesd_609_codee3
moisture_sensitivity_levelNOT SPECIFIED
元件数量1
最大工作温度150 Cel
包装材料PLASTIC/EPOXY
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_NOT SPECIFIED
larity_channel_typeNPN
wer_dissipation_max__abs_1.18 W
qualification_statusCOMMERCIAL
sub_categoryOther Transistors
表面贴装YES
端子涂层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
额定交叉频率200 MHz

NSS20201MR6相似产品对比

NSS20201MR6 NSS20201MR6D
描述 2 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 2 A, 20 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
最大集电极电流 2 A 2 A
最大集电极发射极电压 20 V 20 V
端子数量 6 6
加工封装描述 LEAD FREE, CASE 318G-02, TSOP-6 LEAD FREE, CASE 318G-02, TSOP-6
each_compli Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
中国RoHS规范 Yes Yes
状态 Active Active
结构 SINGLE SINGLE
最小直流放大倍数 200 200
jesd_30_code R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
jesd_609_code e3 e3
moisture_sensitivity_level NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
元件数量 1 1
最大工作温度 150 Cel 150 Cel
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_ NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
larity_channel_type NPN NPN
wer_dissipation_max__abs_ 1.18 W 1.18 W
qualification_status COMMERCIAL COMMERCIAL
sub_category Other Transistors Other Transistors
表面贴装 YES YES
端子涂层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_ NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
额定交叉频率 200 MHz 200 MHz

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