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1N5913DUR-1E3

产品描述Zener Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小293KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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1N5913DUR-1E3概述

Zener Diode

1N5913DUR-1E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1343206686
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.25 W
标称参考电压3.3 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层MATTE TIN
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
最大电压容差1%
工作测试电流113.6 mA
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