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IDT70V3319S166BFG

产品描述Dual-Port SRAM, 256KX18, 3.6ns, CMOS, CBGA208, 15 X 15 MM X 1.4 MM, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208
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文件大小218KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT70V3319S166BFG概述

Dual-Port SRAM, 256KX18, 3.6ns, CMOS, CBGA208, 15 X 15 MM X 1.4 MM, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

IDT70V3319S166BFG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA208,17X17,32
针数208
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间3.6 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CBGA-B208
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量208
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA208,17X17,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度15 mm
Base Number Matches1
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