Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT70V631S12PRF9

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IDT70V631S12PRF9: 产品描述Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128; 产品类别存储存储; 文件大小201KB，共23页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70V631S12PRF9概述

Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128

IDT70V631S12PRF9规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128
针数	128
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	128
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

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HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18

ASYNCHRONOUS DUAL-PORT

STATIC RAM

◆

IDT70V631S

Features

True Dual-Port memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

High-speed access

– Commercial: 10/12/15ns (max.)

– Industrial: 12ns (max.)

Dual chip enables allow for depth expansion without

external logic

IDT70V631 easily expands data bus width to 36 bits or

more using the Master/Slave select when cascading more

than one device

M/S = V

for

BUSY

output flag on Master,

M/S = V

for

BUSY

input on Slave

Busy and Interrupt Flags

On-chip port arbitration logic

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

◆

Fully asynchronous operation from either port

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1

– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the

128-pin TQFP package.

LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for

core

LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)

power supply for I/Os and control signals on each port

Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-ball fine

pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Functional Block Diagram

0 R

1 R

Dout0-8_L

Dout9-17_L

Dout0-8_R

Dout9-17_R

256K x 18

MEMORY

ARRAY

I/O

- I/O

17L

Din_L

Din_R

I/O

- I/O

17R

17L

Address

Decoder

ADDR_L

ADDR_R

Address

Decoder

17R

R/W

BUSY

SEM

INT

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

0 R

1 R

R/W

BUSY

M/S

SEM

INT

TDI

TDO

JTAG

TMS

TCK

TRST

5622 drw 01

NOTES:

BUSY

is an input as a Slave (M/S=V

) and an output when it is a Master (M/S=V

BUSY

and

INT

are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).

OCTOBER 2003

DSC-5622/5

IDT70V631S12PRF9相似产品对比

	IDT70V631S12PRF9	IDT70V631S15PRFG	IDT70V631S15PRF9	IDT70V631S15BFG	IDT70V631S12PRFG	IDT70V631S12BFG	WBDDSS8-A-01-1580-D-	IDT70V631S10PRF9	IDT70V631S12BCGI	IDT70V631S12BCG
描述	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208	Array/Network Resistor, Isolated, 0.1W, 158ohm, 100V, 0.5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 1408,	Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256	Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	EAR99	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
端子数量	128	128	128	208	128	208	16	128	256	256
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	150 °C	70 °C	85 °C	70 °C
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	SMT	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	符合	符合	符合	-	不符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	-	-
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	BGA	QFP	BGA	-	QFP	BGA	BGA
包装说明	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	LFQFP,	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	LFBGA,	LFQFP,	LFBGA,	-	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128	LBGA,	LBGA,
针数	128	128	128	208	128	208	-	128	256	256
最长访问时间	12 ns	15 ns	15 ns	15 ns	12 ns	12 ns	-	10 ns	12 ns	12 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	S-PBGA-B208	R-PQFP-G128	S-PBGA-B208	-	R-PQFP-G128	S-PBGA-B256	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e0	e3	e0	e1	e3	e1	-	e0	e1	e1
长度	20 mm	20 mm	20 mm	15 mm	20 mm	15 mm	-	20 mm	17 mm	17 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	-	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	-	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	-	18	18	18
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	-	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	-	1	1	1
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000	256000	-	256000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18	256KX18	-	256KX18	256KX18	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFBGA	LFQFP	LFBGA	-	LFQFP	LBGA	LBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE	-	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	260	240	260	260	260	-	240	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.7 mm	1.6 mm	1.7 mm	-	1.6 mm	1.7 mm	1.7 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	-	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	-	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN	TIN LEAD	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	MATTE TIN	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	TIN LEAD	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	-	GULL WING	BALL	BALL
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.5 mm	0.8 mm	-	0.5 mm	1 mm	1 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	-	QUAD	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	30	20	30	30	30	-	20	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	15 mm	14 mm	15 mm	-	14 mm	17 mm	17 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	1	1	1

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