Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, CDIP32, DIP-32
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Micross |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP32,.4 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 120 ns |
其他特性 | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP; LOW POWER STANDBY |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 40.64 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
座面最大高度 | 5.8928 mm |
最大待机电流 | 0.01 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.11 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 10.16 mm |
Base Number Matches | 1 |
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