Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28,
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | EDI [Electronic devices inc.] |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N28 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 256KX1 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.905 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 8.89 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962-8872501XA | 5962-8854401LA | 5962-8872501LA | VX-721-EAE-KECN-40M2830630 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, | Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, | LVCMOS Output Clock Oscillator, 40.283063MHz Nom, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | compliant |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e4 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -40 °C |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier |
| 最长访问时间 | 35 ns | 35 ns | 35 ns | - |
| 其他特性 | AUTOMATIC POWER-DOWN | TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP; LOW POWER STANDBY | - | ENABLE/DISABLE FUNCTION; TR, 7 INCH |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N28 | R-CDIP-T24 | R-GDIP-T24 | - |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | - |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | - |
| 内存宽度 | 1 | 1 | 1 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 28 | 24 | 24 | - |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | - |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 组织 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 | - |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | - |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | - |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - |
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