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5962-9561302HYX

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小189KB,共6页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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5962-9561302HYX概述

Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SINGLE CAVITY, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

5962-9561302HYX规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间100 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
JESD-609代码e4
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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White Electronic Designs
WMS512K8-XXX
512Kx8, MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-95613
FEATURES
Access Times 70, 85, 100, 120ns
MIL-STD-883 Compliant Devices Available
Evolutionary, Corner Power/Ground Pinout JEDEC
Approved
32 pin Ceramic DIP (Package 300)
32 lead Ceramic SOJ (Package 101)
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
EVOLUTIONARY PINOUT
32 DIP
32 CSOJ (DE)
TOP VIEW
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE#
A13
A8
A9
A11
OE#
A10
CS#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
Commercial, Industrial and Military Temperature
Ranges
5V Power Supply
Low Power CMOS
Low Power Data Retention
TTL Compatible Inputs and Outputs
PIN DESCRIPTION
A
0-18
I/O
0-7
CS#
OE#
WE#
V
CC
GND
Address Inputs
Data Input/Output
Chip Select
Output Enable
Write Enable
+5.0V Power
Ground
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.
March, 2003
Rev. 4
1
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.whiteedc.com
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