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MGFS45V2325A

产品描述2.3 - 2.5GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小236KB,共2页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MGFS45V2325A概述

2.3 - 2.5GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET

MGFS45V2325A规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)22 A
最大漏极电流 (ID)6.5 A
FET 技术JUNCTION
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值88 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

MGFS45V2325A相似产品对比

MGFS45V2325A MGFS45V2325A_04
描述 2.3 - 2.5GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET 2.3 - 2.5GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
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