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IDT70V24L25GI

产品描述Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84
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文件大小180KB,共22页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V24L25GI概述

Dual-Port SRAM, 4KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84

IDT70V24L25GI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码PGA
包装说明1.120 X 1.120 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84
针数84
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CPGA-P84
JESD-609代码e0
长度27.94 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量2
端子数量84
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA84M,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.207 mm
最大待机电流0.0025 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度27.94 mm
Base Number Matches1
发现STVisualDevelop+STM832KCompiler4.3.4一个问题,提个醒!
直接写一条指令:TMP==0;编译后竟然没有任何警告!编译结果如下:(错误警告选项已经打开!CVAVR如果这样写会出现警告!不知道标准C语言是否可以这样写?)main.c:128 __sram_wall_xc_safe == 0;0x90d3 main+1680x3D2CTNZ 0x2cTNZ ___sram_wall_xc_safe0x90d5 main+1700x2605JRNE0x90dcJ...
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