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5962R8954702VDA

产品描述ACT SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小19KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

5962R8954702VDA概述

ACT SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14

5962R8954702VDA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL14,.3
针数14
Reach Compliance Codeunknown
系列ACT
JESD-30 代码R-GDFP-F14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I(ol)0.024 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DFP
封装等效代码FL14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup7 ns
传播延迟(tpd)7.5 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度2.032 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
宽度6.35 mm
Base Number Matches1

5962R8954702VDA相似产品对比

5962R8954702VDA 5962-8954702V2A 5962R8954702VCA 54ACTQ08ERQMLV 54ACTQ08JRQMLV 5962R8954702V2A 5962-8954702VCA
描述 ACT SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDFP14, CERAMIC, DFP-14 ACT SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CQCC20 ACT SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 ACT SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CQCC20 ACT SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDIP14 ACT SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 ACT SERIES, QUAD 2-INPUT AND GATE, CDIP14
包装说明 DFP, FL14,.3 QCCN, LCC20,.35SQ DIP, DIP14,.3 QCCN, LCC20,.35SQ DIP, DIP14,.3 QCCN, LCC20,.35SQ DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown compliant compliant unknown unknown
系列 ACT ACT ACT ACT ACT ACT ACT
JESD-30 代码 R-GDFP-F14 S-CQCC-N20 R-GDIP-T14 S-CQCC-N20 R-GDIP-T14 S-CQCC-N20 R-GDIP-T14
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE AND GATE
最大I(ol) 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A 0.024 A
功能数量 4 4 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 14 20 14 20 14 20 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DFP QCCN DIP QCCN DIP QCCN DIP
封装等效代码 FL14,.3 LCC20,.35SQ DIP14,.3 LCC20,.35SQ DIP14,.3 LCC20,.35SQ DIP14,.3
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 7 ns 7.5 ns 7 ns 7.5 ns 7.5 ns 7 ns 7.5 ns
传播延迟(tpd) 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO NO NO
筛选级别 MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度 2.032 mm 1.905 mm 5.08 mm 1.905 mm 5.08 mm 1.905 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 FLAT NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL QUAD DUAL QUAD DUAL
宽度 6.35 mm 8.89 mm 7.62 mm 8.89 mm 7.62 mm 8.89 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0 e0 e0
端子面层 TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped TIN LEAD - Tin/Lead (Sn63Pb37) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
总剂量 100k Rad(Si) V - 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V -
是否Rohs认证 - 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合
长度 - 8.89 mm 19.43 mm 8.89 mm 19.43 mm 8.89 mm 19.43 mm
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