D12NF06L,D12NF06L pdf中文资料,D12NF06L引脚图,D12NF06L电路-Datasheet-电子工程世界

D12NF06L: 产品描述12 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小637KB，共14页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

D12NF06L概述

12 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252

12 A, 60 V, 0.12 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-252

	D12NF06L	STD12NF06L	STD12NF06L_07
描述	12 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252	12 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252	12 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
端子数量	2	2	2
表面贴装	Yes	YES	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
元件数量	1	1	1
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
最小击穿电压	60 V	-	60 V
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, DPAK-3	-	ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅	Yes	-	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	-	Yes
状态	ACTIVE	-	ACTIVE
包装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
端子涂层	MATTE TIN	-	MATTE TIN
包装材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
结构	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接	DRAIN	-	DRAIN
通道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
场效应晶体管技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式	ENHANCEMENT	-	ENHANCEMENT
晶体管类型	GENERAL PURPOSE POWER	-	GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流	12 A	-	12 A
额定雪崩能量	100 mJ	-	100 mJ
最大漏极导通电阻	0.1200 ohm	-	0.1200 ohm
最大漏电流脉冲	48 A	-	48 A

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ