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BSP31

产品描述SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB,共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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BSP31概述

SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

BSP31规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量20 pF
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
最大关闭时间(toff)650 ns
最大开启时间(吨)500 ns
VCEsat-Max0.5 V

BSP31相似产品对比

BSP31 BSP33
描述 SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
基于收集器的最大容量 20 pF 20 pF
集电极-发射极最大电压 60 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.5 W 1.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
最大关闭时间(toff) 650 ns 650 ns
最大开启时间(吨) 500 ns 500 ns
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V
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