电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BFN38

产品描述SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小32KB,共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
下载文档 详细参数 全文预览

BFN38概述

SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

BFN38规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1.5 W
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)70 MHz

文档预览

下载PDF文档
SOT223 NPN SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BFN38
C
ISSUE 4 - JANUARY 1996
7
FEATURES:
* High V
CEO
and Low saturation voltage
APPLICATIONS:
* Suitable for video output stages in TV sets
* Switching power supplies
COMPLEMENTARY TYPE - BFN39
PARTMARKING DETAILS - BFN38
B
E
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
SYMBOL
VALUE
300
300
5
500
2
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Static Forward Current h
FE
Transfer Ratio
Transition
Frequency
Output Capacitance
f
T
Cobo
25
40
30
70
1.5
MHz
pF
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
2%
For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet.
3 - 48
MIN.
300
300
5
100
20
100
0.5
0.9
TYP.
MAX.
V
V
V
nA
µ
A
UNIT CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
=1mA
I
E
=100
µ
A
V
CB
=250V
V
CB
=250V, T
amb
=150°C
nA
V
V
V
EB
=4V
I
C
=20mA, I
B
=2mA
I
C
=20mA, I
B
=2mA
I
C
=1mA, V
CE
=10V*
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=30mA, V
CE
=10V*
I
C
=20mA, V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
=30V,f=1MHz
CC2541蓝牙学习——时钟设置
CC2541有四个振荡器,分别是: 32MHz外部晶振 16MHz内部RC振荡器 32kHz外部晶振 32kHz内部RC振荡器 由此可以看出,CC2541内部自带了振荡器,也就是说即使外部电路不接振荡器, ......
火辣西米秀 无线连接
电源知识考一考(1)
:pleased:我一直觉得难题都是从简单的知识点里积累起来的,同样的,想要进行更高深更复杂的设计,首先你必须牢牢的打好基础~ 所以,咱们都来检验 一下自己的一些基础知识过没过关吧? ......
okhxyyo 电源技术
收到ESP8266了,我是第一个?
本帖最后由 lidonglei1 于 2016-8-6 14:26 编辑 昨天收到的,照片就不发了,上电试一下(固件应该下了吧?)。 没有驱动: 252513 网上下了一个,不确定对不对,装上之后显示驱动装上了 ......
lidonglei1 MicroPython开源版块
拆农行、建行U盾
上次用这两个U盾估计都要十年前了,反正也不用了,拆开看看 606901 一字螺丝刀沿着缝隙撬开一条缝,然后塞进去银行卡的一角,沿着缝隙划一下就打开了 606897 建行这个芯片 ......
eric_wang 工业自动化与控制
问个evc连接库的问题
有个lib库和一个头文件,在vc下编译连接过没问题的 在evc下,用emulator模式编译和连接也很正常 但是改用arm4模式来编译就连接出错,好像识别不了lib库的样子。以下是出错信息: Chi ......
mangomkt 嵌入式系统
晒WEBENCH设计的过程+矿用巷道灯电源设计
矿用巷道灯电源设计 矿用电源AC100V,考虑到井下环境恶略。除了将电源设计为恒流源外,通常会将电源设计为宽范围供电(AC65V~AC130V)。本例以巷道灯为例设计其匹配电源。 第一步:打开TI官网就 ......
ltbytyn 模拟与混合信号

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1308  2008  2145  1991  379  18  44  11  13  51 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved