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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BFN37
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BFN37

产品描述SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小33KB，共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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BFN37概述

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

BFN37规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值1.5 W
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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SOT223 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BFN37
C
E
C
B
ISSUE 4 – JANUARY 1996
7
FEATURES
* High V
CEO
and Low saturation voltages
APPLICATIONS
* Suitable for video output stages in TV sets
* Switching power supplies
COMPLEMENTARY TYPE:-
BFN36
PARTMARKING DETAIL:-
BFN37
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base Emitter
Saturation Voltage
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Static Forward
h
FE
Current Transfer Ratio
Transition Frequency
Output Capacitance
f
T
C
obo
25
40
40
100
2.5
MHz
pF
†T
amb
=150°C
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMTA92 datasheet.
3 - 47
MIN.
-250
-250
-5
-100
-20
-100
-0.4
-0.9
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
TYP.
MAX. UNIT
V
V
V
nA
µ
A
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
VALUE
-250
-250
-5
-500
-2
-55 to +150
CONDITIONS.
I
C
=-100
µ
A
I
C
=-1mA
I
E
=-100
µ
A
V
CB
=-200V
V
CB
=-200V †
nA
V
V
V
EB
=-4V
UNIT
V
V
V
mA
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-30mA, V
CE
=10V*
I
C
=-20mA, V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
=-30V, f=1MHz

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