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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BFN18
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BFN18

产品描述SOT89 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小11KB，共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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BFN18概述

SOT89 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

BFN18规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)70 MHz
VCEsat-Max0.5 V

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SOT89 NPN SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
BFN18
C
ISSUE 3 - JANUARY 1996
COMPLEMENTARY TYPE - BFN19
PARTMARKING DETAIL - DE
7
E
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak pulse Current
Continuous Collector Current
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
V
CBO
SYMBOL
VALUE
300
300
5
500
200
100
1
-65 to +150
B
UNIT
V
V
V
mA
mA
mA
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition
Frequency
Output Capacitance
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
h
FE
25
40
30
f
T
C
obo
Typ.
70
Typ.
1.5
MHz
pF
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet.
MIN.
300
300
5
100
20
100
0.5
0.9
MAX.
V
V
V
nA
µA
nA
V
V
UNIT CONDITIONS.
I
C
=100µA
I
C
=1mA*
I
E
=100µA
V
CB
=250V
V
CB
=250V, T
amb
=150°C
V
EB
=3V
I
C
=20mA, I
B
=2mA
I
C
=20mA, I
B
=2mA
I
C
=1mA, V
CE
=10V*
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=30mA, V
CE
=10V*
I
C
=20mA, V
CE
=10V
f=20MHz
V
CB
=30V,f=1MHz
3 - 44

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