71P71804S167BQ,71P71804S167BQ pdf中文资料,71P71804S167BQ引脚图,71P71804S167BQ电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 71P71804S167BQ

71P71804S167BQ: 产品描述CABGA-165, Tray; 产品类别存储存储; 文件大小255KB，共23页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

71P71804S167BQ概述

CABGA-165, Tray

71P71804S167BQ规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	CABGA
包装说明	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
针数	165
制造商包装代码	BQ165
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	167 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
长度	15 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	165
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.275 A
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	0.475 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	13 mm
Base Number Matches	1

71P71804S167BQ相似产品对比

	71P71804S167BQ	71P71804S167BQG	71P71604S167BQ	71P71804S250BQ	71P71804S250BQG	71P71804S200BQG	71P71604S250BQ	71P71804S200BQ	71P71604S200BQ
描述	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray	CABGA-165, Tray
Brand Name	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	不符合	符合	符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA	CABGA
包装说明	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, GREEN, FBGA-165	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	TBGA, BGA165,11X15,40	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, GREEN, FBGA-165	TBGA, BGA165,11X15,40	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165	TBGA, BGA165,11X15,40
针数	165	165	165	165	165	165	165	165	165
制造商包装代码	BQ165	BQG165	BQ165	BQ165	BQG165	BQG165	BQ165	BQ165	BQ165
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown	not_compliant	not_compliant	unknown	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A991	3A991	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991	3A991.B.2.A	3A991	3A991.B.2.A
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
最长访问时间	0.5 ns	0.5 ns	0.5 ns	-	0.5 ns	0.5 ns	-	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	-	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	167 MHz	167 MHz	167 MHz	-	250 MHz	200 MHz	-	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	-	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	-	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0	e1	e0	-	e1	e1	-	e0	e0
长度	15 mm	15 mm	15 mm	-	15 mm	15 mm	-	15 mm	15 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	-	18874368 bit	18874368 bit	-	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	-	DDR SRAM	DDR SRAM	-	DDR SRAM	DDR SRAM
内存宽度	18	18	36	-	18	18	-	18	36
湿度敏感等级	3	3	3	-	3	3	-	3	3
功能数量	1	1	1	-	1	1	-	1	1
端子数量	165	165	165	-	165	165	-	165	165
字数	1048576 words	1048576 words	524288 words	-	1048576 words	1048576 words	-	1048576 words	524288 words
字数代码	1000000	1000000	512000	-	1000000	1000000	-	1000000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	512KX36	-	1MX18	1MX18	-	1MX18	512KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA	TBGA	TBGA	-	TBGA	TBGA	-	TBGA	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	-	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	-	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	260	225	-	260	260	-	225	225
电源	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	-	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	-	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.275 A	0.275 A	0.275 A	-	0.325 A	0.3 A	-	0.3 A	0.3 A
最小待机电流	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V
最大压摆率	0.475 mA	0.65 mA	0.6 mA	-	0.85 mA	0.75 mA	-	0.55 mA	0.7 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	-	1.9 V	1.9 V	-	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V	-	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	YES	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	-	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL	BALL	BALL	-	BALL	BALL	-	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	NOT SPECIFIED	20	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	20	20
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	-	13 mm	13 mm	-	13 mm	13 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1	-

71P71804S167BQ

71P71804S167BQ概述

71P71804S167BQ规格参数

71P71804S167BQ相似产品对比

推荐资源