5900 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
5900 mA, 20 V, 2 通道, N沟道, 硅, 小信号, 场效应管
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Zetex Semiconductors |
包装说明 | SO-8 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW THRESHOLD |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 20 V |
最大漏极电流 (ID) | 5.9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
ZXMN2A04DN8TC | ZXMN2A04DN8 | ZXMN2A04DN8_04 | |
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描述 | 5900 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 5900 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 5900 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
元件数量 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 |
表面贴装 | YES | Yes | Yes |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
最小击穿电压 | - | 20 V | 20 V |
加工封装描述 | - | SO-8 | SO-8 |
无铅 | - | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | - | Yes | Yes |
中国RoHS规范 | - | Yes | Yes |
状态 | - | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
包装尺寸 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
端子涂层 | - | MATTE TIN | MATTE TIN |
包装材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
结构 | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
通道类型 | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
场效应晶体管技术 | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | - | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | - | GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL | GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL |
最大漏电流 | - | 5.9 A | 5.9 A |
最大漏极导通电阻 | - | 0.0250 ohm | 0.0250 ohm |
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