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70V7599S166BC

产品描述CABGA-256, Tray
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文件大小509KB,共24页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70V7599S166BC在线购买

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70V7599S166BC概述

CABGA-256, Tray

70V7599S166BC规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码CABGA
包装说明LBGA, BGA256,16X16,40
针数256
制造商包装代码BC256
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionCHIP ARRAY BGA 17.0 X 1.7.0 MM X 1.0 MM
最长访问时间12 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e0
长度17 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.7 mm
最大待机电流0.03 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.79 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度17 mm
Base Number Matches1

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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36
SYNCHRONOUS
BANK-SWITCHABLE
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features:
70V7599S
128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported
SRAM Architecture
64 independent 2K x 36 banks
– 4 megabits of memory on chip
Bank access controlled via bank address pins
High-speed data access
– Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Available in a 208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and
256-pin Ball Grid Array (BGA)
Functional Block Diagram
PL/FT
L
OPT
L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
REPEAT
L
R/W
L
CE
0L
CE
1L
BE
3L
BE
2L
BE
1L
BE
0L
OE
L
PL/FT
R
OPT
R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
REPEAT
R
R/W
R
CE
0R
CE
1R
BE
3R
BE
2R
BE
1R
BE
0R
OE
R
CONTROL
LOGIC
MUX
2Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 0)
MUX
CONTROL
LOGIC
I/O
0L-35L
I/O
CONTROL
MUX
2Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 1)
MUX
I/O
CONTROL
I/O
0R-35R
A
10L
A
0L
BA
5L
BA
4L
BA
3L
BA
2L
BA
1L
BA
0L
ADDRESS
DECODE
ADDRESS
DECODE
A
10R
A
0R
BA
5R
BA
4R
BA
3R
BA
2R
BA
1R
BA
0R
BANK
DECODE
MUX
2Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 63)
BANK
DECODE
NOTE:
1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM
core instead of the traditional dual-port SRAM core.
As a result, it has unique operating characteristics.
Please refer to the functional description on page 19
for details.
MUX
,
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
5626 drw 01
OCTOBER 2019
1
DSC 5626/10
©2019 Integrated Device Technology, Inc.
求大佬判断
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