7130SA35JG,7130SA35JG pdf中文资料,7130SA35JG引脚图,7130SA35JG电路-Datasheet-电子工程世界

7130SA35JG: 产品描述Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小246KB，共21页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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7130SA35JG概述

Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	LCC
包装说明	QCCJ, LDCC52,.8SQ
针数	52
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Samacsys Description	NULL
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e3
长度	19.1262 mm
内存密度	8192 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	52
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.165 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	19.1262 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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