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6A10G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小139KB,共2页
制造商JGD(Jinan Gude Electronic Device)
官网地址http://www.jgd.com.cn/
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6A10G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon,

6A10G规格参数

参数名称属性值
厂商名称JGD(Jinan Gude Electronic Device)
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

6A10G相似产品对比

6A10G 6A4G
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 400V V(RRM), Silicon,
厂商名称 JGD(Jinan Gude Electronic Device) JGD(Jinan Gude Electronic Device)
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C
最大输出电流 6 A 6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 1000 V 400 V
最大反向电流 10 µA 10 µA
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1
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