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ISL9V3036D3S: 产品描述21 A, 350 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小135KB，共8页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/; 标准

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ISL9V3036D3S概述

21 A, 350 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB

21 A, 350 V, N沟道 IGBT, TO-220AB

ISL9V3036D3S规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	21 A
集电极-发射极最大电压	350 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间（tf）	15000 ns
门极发射器阈值电压最大值	2.2 V
门极-发射极最大电压	12 V
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W
认证状态	Not Qualified
最大上升时间（tr）	7000 ns
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	7600 ns
标称接通时间 (ton)	2800 ns

ISL9V3036D3S相似产品对比

	ISL9V3036D3S	ISL9V3036D3S_04	ISL9V3036P3	ISL9V3036S3ST	ISL9V3036D3ST
描述	21 A, 350 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB	21 A, 350 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB	21 A, 350 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB	21 A, 350 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB	21 A, 350 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	3	3	2	2
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AUTOMOTIVE IGNITION	AUTOMOTIVE IGNITION	AUTOMOTIVE IGNITION	AUTOMOTIVE IGNITION	AUTOMOTIVE IGNITION
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	Fairchild	-	Fairchild	Fairchild	Fairchild
零件包装代码	TO-252AA	-	TO-220AB	D2PAK	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	PLASTICPACKAGE-3	PLASTIC,D2PAK-3	PLASTIC,DPAK-3
针数	3	-	3	2	3
Reach Compliance Code	not_compliant	-	unknow	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	-	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	21 A	-	21 A	21 A	21 A
集电极-发射极最大电压	350 V	-	350 V	350 V	350 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大降落时间（tf）	15000 ns	-	15000 ns	15000 ns	15000 ns
门极发射器阈值电压最大值	2.2 V	-	2.2 V	2.2 V	2.2 V
门极-发射极最大电压	12 V	-	12 V	12 V	12 V
JEDEC-95代码	TO-252AA	-	TO-220AB	TO-263AB	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	-	e3	e3	e3
最高工作温度	175 °C	-	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	NOT APPLICABLE	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W	-	150 W	150 W	150 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大上升时间（tr）	7000 ns	-	7000 ns	7000 ns	7000 ns
表面贴装	YES	-	NO	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT APPLICABLE	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
标称断开时间 (toff)	7600 ns	-	7600 ns	7600 ns	7600 ns
标称接通时间 (ton)	2800 ns	-	2800 ns	2800 ns	2800 ns

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