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IRGB15B60KDPbF

产品描述INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小822KB,共15页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRGB15B60KDPbF概述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRGB15B60KDPbF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-220AB
包装说明LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性ULTRA FAST
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)31 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)36 ns
门极发射器阈值电压最大值5.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)208 W
认证状态Not Qualified
最大上升时间(tr)25 ns
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)231 ns
标称接通时间 (ton)52 ns
Base Number Matches1

IRGB15B60KDPbF相似产品对比

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描述 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-220AB D2PAK TO-262
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant
其他特性 ULTRA FAST ULTRA FAST ULTRA FAST
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 31 A 31 A 31 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf) 36 ns 36 ns 36 ns
门极发射器阈值电压最大值 5.5 V 5.5 V 5.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 2 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 250 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 208 W 208 W 208 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大上升时间(tr) 25 ns 25 ns 25 ns
表面贴装 NO YES NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 40
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 231 ns 231 ns 231 ns
标称接通时间 (ton) 52 ns 52 ns 52 ns
Base Number Matches 1 1 1
JEDEC-95代码 TO-220AB - TO-262
湿度敏感等级 - 1 1
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