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IRFL1006PBF

产品描述HEXFET Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小128KB,共9页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRFL1006PBF在线购买

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IRFL1006PBF概述

HEXFET Power MOSFET

IRFL1006PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-261AA
包装说明LEAD FREE, TO-261AA, 4 PIN
针数4
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.3 A
最大漏极电流 (ID)1.6 A
最大漏源导通电阻0.22 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-261AA
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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