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2SC5801-T3

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小31KB,共1页
制造商NEC(日电)
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2SC5801-T3概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, LEADLESS MINIMOLD PACKAGE-3

2SC5801-T3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量0.8 pF
集电极-发射极最大电压5.5 V
配置SINGLE
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4500 MHz
Base Number Matches1
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