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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 30CTH02FPPbF
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30CTH02FPPbF

产品描述15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小269KB，共8页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
标准
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30CTH02FPPbF概述

15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

30CTH02FPPbF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码TO-220AB
包装说明LEAD FREE, TO-220, FULL PACK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用HYPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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Bulletin PD-20894 rev. B 12/06
30CTH02PbF
30CTH02FPPbF
Hyperfast Rectifier
Features
•
•
•
•
•
Hyperfast Recovery Time
Low Forward Voltage Drop
Low Leakage Current
175°C Operating Junction Temperature
Lead-Free ("PbF" suffix)
t
rr
=30ns max.
I
F(AV)
= 30Amp
V
R
= 200V
Description/ Applications
International Rectifier's 200V series are the state of the art Hyperfast recovery rectifiers specifically designed with
optimized performance of forward voltage drop and hyperfast recovery time.
The planar structure and the platinum doped life time control, guarantee the best overall performance, ruggedness
and reliability characteristics.
These devices are intended for use in the output rectification stage of SMPS, UPS, DC-DC converters as well as
free-wheeling diode in low voltage inverters and chopper motor drives.
Their extremely optimized stored charge and low recovery current minimize the switching losses and reduce over
dissipation in the switching element and snubbers.
Absolute Maximum Ratings
Parameters
V
RRM
I
F(AV)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Average Rectified Forward Current
@ T
C
= 159°C Per Diode
Per Device
I
FSM
T
J
, T
STG
Non Repetitive Peak Surge Current @ T
J
= 25°C
Operating Junction and Storage Temperatures
@ T
C
= 125°C (FULLPACK) Per Diode
30
200
- 65 to 175
°C
Max
200
15
Units
V
A
Case Styles
30CTH02PbF
30CTH02FPPbF
Base
Common
Cathode
2
2
2
Common
Cathode
1
3
1
Anode
Anode
Anode
Common
Cathode
3
Anode
TO-220AB
www.irf.com
TO-220 FULLPACK
1

30CTH02FPPbF相似产品对比

30CTH02FPPbF 30CTH02 30CTH02FP 30CTH02PBF
描述 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 15 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
是否无铅 不含铅 含铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 LEAD FREE, TO-220, FULL PACK-3 LEAD FREE PACKAGE-3 LEAD FREE, TO-220, FULL PACK-3 LEAD FREE PACKAGE-3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown compli compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用 HYPER FAST RECOVERY HYPER FAST RECOVERY HYPER FAST RECOVERY HYPER FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED CATHODE ISOLATED CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.85 V 0.85 V 0.85 V 0.85 V
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e0 e0 e3
最大非重复峰值正向电流 200 A 200 A 200 A 200 A
元件数量 2 2 2 2
相数 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最大输出电流 15 A 15 A 15 A 15 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 260 225 NOT SPECIFIED 250
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 200 V 200 V 200 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier TIN LEAD TIN LEAD MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 NOT SPECIFIED 30
Base Number Matches 1 - 1 1

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