DIODE 0.8 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | E-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | E-LALF-W2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 0.8 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ELLIPTICAL |
封装形式 | LONG FORM |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | IEC-134 |
最大重复峰值反向电压 | 600 V |
最大反向恢复时间 | 3 µs |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
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