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RB481Y

产品描述0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小150KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB481Y概述

0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

RB481Y规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-75A
包装说明R-PDSO-F4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.28 V
JESD-30 代码R-PDSO-F4
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量4
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流30 µA
反向测试电压10 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB481Y
Diodes
Schottky barrier diode
RB481Y
Applications
Dimensions
(Unit : mm)
Land size figure
(Unit : mm)
0.5
Low current rectification
1.6±0.05
1.6±0.1
0.22±0.05
0.13±0.05
(3)
0.45
(4)
Features
1) Ultra Small power mold type. (EMD4)
2) Low V
F
3) High reliability.
(1)
0.5
1.0±0.1
0.5
(2)
1.6±0.1
1.6±0.05
1.2±0.1
0½0.1
1.0
EMD4
0.5±0.05
Construction
Silicon epitaxial planar
ROHM : EMD4
JEITA : SC-75A Size
dot (year week factory)
Structure
Taping specifications
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
      0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
1.65±0.1
5.5±0.2
8.0±0.2
1.65±0.1
1PIN
4.0±0.1
φ0.8±0.1
0½0.1
0.65±0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage
Average rectified forward current(*1)
Forward current surge peak
(60Hz・1cyc)(*1)
Junction temperature
Storage temperature
(*1) Rating of per diode
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
F
1
V
F
2
Forward voltage
V
F
3
Reverse current
I
R
Conditions
I
F
=1mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
V
R
=10V
Symbol
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
100
1
125
-40 to +125
Unit
V
mA
A
Min.
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
Max.
0.28
0.33
0.43
30
Unit
V
V
V
µA
Rev.C
1.65±0.01
1.55
1/3

RB481Y相似产品对比

RB481Y RB481Y_1
描述 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

 
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