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RB420D_1

产品描述0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小168KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RB420D_1概述

0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

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RB420D
Diodes
Shottky barrier diode
RB420D
Application
Low current rectification
Dimensions
(Unit : mm)
Lead size figure
(Unit : mm)
1.9
2.8±0.2
1.6
-0.1
Features
1) Small mold type. (SMD3)
2) Low I
R
3) High reliability.
0.15
-0.06
(3)
+0.1
+0.2
1.0MIN.
0.95
0½0.1
0.3½0.6
0.8MIN.
(2)
(1)
0.95
1.9±0.2
0.8±0.1
1.1±0.2
0.01
SMD3
Structure
Silicon epitaxial planar
0.95
Structure
ROHM : SMD3
JEDEC :S0T-346
JEITA : SC-59
week code
Taping dimensions
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
      0
1.75±0.1
0.3±0.1
3.5±0.05
8.0±0.2
3.2±0.1
3.2±0.1
4.0±0.1
φ1.05MIN
0½0.5
5.5±0.2
3.2±0.1
1.35±0.1
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current(*1)
Forward current surge peak(60Hz・1cyc)(*1)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
40
40
100
1
125
-40 to +125
Unit
V
V
mA
A
(*1)Rating of per diode
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
F
1
Forward voltage
Min.
-
-
-
Typ.
-
-
6
Max.
0.45
1
-
Unit
V
µA
pF
Conditions
I
F
=10mA
V
R
=10V
V
R
=10V , f=1MHz
Reverse current
Capacitance between terminals
I
R
1
Ct1
Rev.C
2.4
0.4
 -0.05
+0.1
2.9±0.2
各リードとも
Each lead has same dimension
同寸法
1/3

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描述 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

 
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