电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

RB160VA-40_1

产品描述Schottky barrier diode
文件大小125KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
下载文档 全文预览

RB160VA-40_1概述

Schottky barrier diode

文档预览

下载PDF文档
RB160VA-40
Diodes
Schottky barrier diode
RB160VA-40
Applications
General rectification
External dimensions
(Unit : mm)
0.17±0.1
  
0.05
1.3±0.05
Land size figure
(Unit : mm)
1.1
1.9±0.1
2.5±0.2
Features
1) Small mold type. (TUMD2)
2) Low I
F
, Low I
R
.
3) High reliability.
TUMD2
Structure
Construction
Silicon epitaxial planar
0.8±0.05
ROHM : TUMD2
    0.1
dot (year week factory) + day
0.6±0.2
Taping specifications
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
1.75±0.1
φ1.55±0.1
      0
0.25±0.05
3.5±0.0 5
8.0±0.2
1.43±0.05
4.0±0.1
φ1.0±0.2
     0
2.75
2.8±0.05
0.9±0.08
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward peak surge current(60Hz・1cyc)
Junction temperature
Storage temperature
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
40
40
1
5
150
-40 to +150
Unit
V
V
A
A
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Min.
-
-
Typ.
0.50
1.5
Max.
0.55
50
Unit
V
µA
Conditions
I
F
=700mA
V
R
=40V
Rev.B
0.8 0.5
2.0
1/3

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1156  2705  248  936  2040  4  21  9  37  35 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved