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RB160M-30

产品描述1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小134KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RB160M-30概述

1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

RB160M-30规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-F2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.46 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e1
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RB160M-30
Diodes
Schottky barrier diode
RB160M-30
Applications
General rectification
Dimensions
(Unit : mm)
1.6±0.1
0.1±0.1
    0.05
Land size figure
(Unit : mm)
1.2
0.85
2.6±0.1
3.5±0.2
Features
1) Small power mold type. (PMDU)
2) Low I
R
.
3) High reliability.
PMDU
Structure
Construction
Silicon epitaxial planar
0.9±0.1
ROHM : PMDU
JEDEC :SOD-123
Manufacture Date
0.8±0.1
Taping specifications
(Unit : mm)
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.75±0.1
0.25±0.05
3.5±0.05
8.0±0.2
1.81±0.1
4.0±0.1
φ1.0±0.1
3.71±0.1
1.5MAX
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward current surge peak (60Hz・1cyc)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
Io
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
30
1
30
125
-40 to +125
Unit
V
V
A
A
(*1)Mounted on epoxy board. 180°Half sine wave
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
1
V
F
2
I
R
1
I
R
2
Min.
-
-
-
-
Typ.
0.39
0.43
3.0
9.0
Max.
0.46
0.48
20
50
Unit
V
V
µA
µA
Conditions
I
F
=0.5A
I
F
=1.0A
V
R
=15V
V
R
=30V
Rev.C
3.05
1/3

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RB160M-30 RB160M-30_1
描述 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE

 
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