DDTA113ZE_1,DDTA113ZE_1 pdf中文资料,DDTA113ZE_1引脚图,DDTA113ZE

Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> DDTA113ZE_1

DDTA113ZE_1: 产品描述100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小75KB，共5页; 制造商Diodes; 官网地址http://www.diodes.com/

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DDTA113ZE_1概述

100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

DDTA113ZE_1规格参数

参数名称	属性值
最大集电极电流	0.1000 A
最大集电极发射极电压	50 V
端子数量	3
加工封装描述	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	Active
结构	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流放大倍数	80
jesd_30_code	R-PDSO-G3
jesd_609_code	e3
moisture_sensitivity_level	1
元件数量	1
最大工作温度	150 Cel
包装材料	PLASTIC/EPOXY
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_	260
larity_channel_type	PNP
wer_dissipation_max__abs_	0.1500 W
qualification_status	COMMERCIAL
sub_category	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装	YES
端子涂层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	40
晶体管元件材料	SILICON
额定交叉频率	250 MHz
dditional_feature	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

DDTA113ZE_1相似产品对比

	DDTA113ZE_1	DDTA144WE-7-F	DDTA123YE-7-F	DDTA123JE-7-F
描述	100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
最大集电极电流	0.1000 A	0.1000 A	0.1000 A	0.1000 A
最大集电极发射极电压	50 V	50 V	50 V	50 V
端子数量	3	3	3	3
加工封装描述	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
each_compli	Yes	Yes	Yes	Yes
欧盟RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes
中国RoHS规范	Yes	Yes	Yes	Yes
状态	Active	Active	Active	Active
结构	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流放大倍数	80	80	80	80
jesd_30_code	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
jesd_609_code	e3	e3	e3	e3
moisture_sensitivity_level	1	1	1	1
元件数量	1	1	1	1
最大工作温度	150 Cel	150 Cel	150 Cel	150 Cel
包装材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
包装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
eak_reflow_temperature__cel_	260	260	260	260
larity_channel_type	PNP	PNP	PNP	PNP
wer_dissipation_max__abs_	0.1500 W	0.1500 W	0.1500 W	0.1500 W
qualification_status	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
sub_category	BIP General Purpose Small Signal	BIP General Purpose Small Signal	BIP General Purpose Small Signal	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子涂层	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	40	40	40	40
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
额定交叉频率	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz
dditional_feature	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10

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