电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BSS8402DW_1

产品描述115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小556KB,共5页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
下载文档 详细参数 全文预览

BSS8402DW_1概述

115 mA, 60 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

115 mA, 60 V, 2 通道, N和P沟道, 硅, 小信号, 场效应管

BSS8402DW_1规格参数

参数名称属性值
端子数量6
最小击穿电压60 V
加工封装描述绿色, 塑料 PACKAGE-6
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN 二极管
元件数量2
晶体管应用开关
晶体管元件材料
通道类型N沟道 AND P沟道
场效应晶体管技术金属-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式ENHANCEMENT
晶体管类型通用小信号
最大漏电流0.1150 A
反馈电容5 pF
最大漏极导通电阻7.5 ohm
MDK的实时系统RTX
那位老大有MDK的实时系统RTX方面学习的资料?...
liudashuang 嵌入式系统
【新思科技IP资源】基于IP的SoC设计如何推动动态的、多样性的HPC需求实现全面增长
在芯片设计领域,使用经硅验证IP是一种行之有效的做法。事实上,这种既能节省时间又能提高质量的复杂片上系统(SoC)开发方法的使用范围越来越广,普及率越来越高。特别是在高速增长的动态细分市场中,基于IP的设计已被证明是一种可以显著缩短开发时间、确保输出更高质量的产品、以及提高工程人员工作效率的手段,便于工程人员专注于独特的增值和差异化工作。这一点尤其适用于快节奏的高性能计算(HPC)领域。过去几年,...
arui1999 综合技术交流
portel dxp 2004 的教程
有谁有portel dxp 2004 的教程的么?给我份??谢谢!!...
cwj1986521 嵌入式系统
求购二手的合众达的xds510仿真器
人在北京,当面交易。...
dsp_comm 淘e淘
视频干扰
有块视频的板子,用XL1509DC DC芯片供电有水波纹干扰,用LDO或者用MP1584就没有,想知道是什么原因导致的,和频率相关吗,如果要用1509有什么优化的办法...
cxq742536574 开关电源学习小组
2006年十大热门微处理器和存储器新品评析1
[i=s] 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:00 编辑 [/i]的MSP430 MCU突破500nA极限   编辑推荐:德州仪器(TI)最新的MSP430F20xx微控制器主要面向电池供电的应用,该MCU采用了独特的超低功耗晶振(VLO)技术,待机模式下电流仅500nA。...
aifang 移动便携

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 26  40  266  565  1139 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved