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PRSB6.8C-LF-T75

产品描述STANDARD TVS COMPONENTS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小63KB,共4页
制造商ProTek Devices
官网地址http://www.protekdevices.com/
标准
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PRSB6.8C-LF-T75概述

STANDARD TVS COMPONENTS

PRSB6.8C-LF-T75规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ProTek Devices
零件包装代码DFN
包装说明R-XBCC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CAPACITANCE
最小击穿电压5.7 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-XBCC-N2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散10 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)270
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压4.7 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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05224
PRSB6.8C
STANDARD TVS COMPONENTS
APPLICATIONS
Noise Suppression for Data Lines
Laptop Computers
Cellular Phones
Digital Cameras
Personal Digital Assistant (PDA)
IEC COMPATIBILITY
(EN61000-4)
61000-4-2 (ESD): Air - 15kV, Contact - 8kV
61000-4-4 (EFT): 40A - 5/50ns
DFN-2
FEATURES
10 Watts Peak Pulse Power per Line (tp=10/1000µs)
ESD Protection > 40 kilovolts
Bidirectional Configuration
Protects One Data Line
Low Clamping Voltage
Easy Placement for Manufacturing
Low Capacitance
RoHS Compliant
MECHANICAL CHARACTERISTICS
DFN-2 Package
Weight 0.8 milligrams (Approximate)
Available in Lead-Free Pure-Tin Plating
Solder Reflow Temperature:
Pure-Tin - Sn, 100: 260-270°C
Consult Factory for Leaded Device Availability
Flammability Rating UL 94V-0
8mm Tape and Reel Per EIA Standard 481
Device Part Number on Reel & Marking Code on Device
PIN CONFIGURATION
05224.R5 2/07
1
www.protekdevices.com

PRSB6.8C-LF-T75相似产品对比

PRSB6.8C-LF-T75 PRSB6.8C PRSB6.8C-T75 PRSB6.8C_07
描述 STANDARD TVS COMPONENTS STANDARD TVS COMPONENTS STANDARD TVS COMPONENTS STANDARD TVS COMPONENTS
零件包装代码 DFN DFN DFN -
包装说明 R-XBCC-N2 R-XBCC-N2 R-PDSO-N2 -
针数 2 2 2 -
Reach Compliance Code compli compli unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 LOW CAPACITANCE LOW CAPACITANCE LOW CAPACITANCE -
最小击穿电压 5.7 V 5.7 V 5.7 V -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE -
JESD-30 代码 R-XBCC-N2 R-XBCC-N2 R-PDSO-N2 -
JESD-609代码 e3 e0 e0 -
最大非重复峰值反向功率耗散 10 W 10 W 10 W -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 2 2 2 -
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER SMALL OUTLINE -
极性 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL -
最大功率耗散 0.15 W 0.15 W 0.15 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 4.7 V 4.7 V 4.7 V -
表面贴装 YES YES YES -
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE -
端子面层 Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD -
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD -
端子位置 BOTTOM BOTTOM DUAL -

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