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SBL3030PT_1

产品描述30 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小84KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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SBL3030PT_1概述

30 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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NOT RECOMMENDED
FOR NEW DESIGN
SBL3030PT - SBL3060PT
30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
TO-3P
Dim
Min
Max
A
1.88
2.08
B
4.87
5.13
C
21.25 21.75
D
19.60 20.10
E
2.10
2.40
G
0.51
0.76
H
15.75 16.25
J
1.93
2.18
K
2.90∅ 3.20∅
L
3.78
4.38
M
5.20
5.70
N
1.12
1.22
P
1.90
2.16
Q
2.93
3.22
R
11.70 12.80
S
4.40 Typical
All Dimensions in mm
Features
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for Transient Protection
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Capability
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free
Wheeling, and Polarity Protection Application
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)
H
A
B
S
R
P
N
J
C
K
L
G
Mechanical Data
Case: TO-3P
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Finish - Tin. Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: As Marked on Body
Ordering Information: See Page 3
Marking: Type Number
Weight: 5.6 grams (approximate)
Q
D
E
M
M
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@ T
C
= 95°C
(Note 1)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
T
R
θ
Jc
T
j,
T
STG
@T
A
= 25°C unless otherwise specified
SBL
SBL
SBL
SBL
SBL
SBL
3030PT 3035PT 3040PT 3045PT 3050PT 3060PT
30
21
35
24.5
40
28
30
275
0.55
1.0
75
1100
2.0
-65 to +150
0.70
45
31.5
50
35
60
42
Unit
V
V
A
A
V
mA
pF
°C/W
°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load
Forward Voltage Drop
@ I
F
= 15A, T
C
= 25°C
Peak Reverse Current
@ T
C
= 25°C
at Rated DC Blocking Voltage
@ T
C
= 100°C
Typical Total Capacitance
(Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Case
(Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and high temperature solder exemptions applied, see
EU Directive Annex Notes 5 and 7.
DS23018 Rev. 11 - 3
1 of 3
www.diodes.com
SBL3030PT - SBL3060PT
© Diodes Incorporated

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