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1N5400

产品描述3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小88KB,共3页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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1N5400概述

3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

3 A, 50 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

1N5400规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层MATTE 锡
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用GENERAL PURPOSE
相数1
最大重复峰值反向电压50 V
最大平均正向电流3 A
最大非重复峰值正向电流200 A

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NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGN
USE S3A-S3M Series
1N5400 - 1N5408
3.0A RECTIFIER
Features
Diffused Junction
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
Surge Overload Rating to 200A Peak
Low Reverse Leakage Current
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)
Mechanical Data
Case: DO-201AD
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C
Terminals: Finish
Tin. Plated Leads Solderable per MIL-
STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Marking: Type Number
Weight: 1.1 grams (approximate)
SMB
Dim
A
B
C
D
Min
25.4
7.20
1.20
4.80
Max
-
9.50
1.30
5.30
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
@ T
A
= 105C
(Note 1)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
T
R
JA
T
j,
T
STG
@T
A
= 25°C unless otherwise specified
1N
5400
50
35
1N
5401
100
70
1N
5402
200
140
1N
5404
400
280
3.0
200
1.0
10
100
1N
5406
600
420
1N
5407
800
560
1N
5408
1000
700
Unit
V
V
A
A
V
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load
Forward Voltage
@ I
F
= 3.0A
Peak Reverse Current
@ T
A
= 25C
at Rated DC Blocking Voltage
@ T
A
= 150C
Typical Total Capacitance
(Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Notes:
50
15
-65 to +150
25
pF
°C/W
C
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and high temperature solder exemptions applied, see
EU Directive Annex Notes 5 and 7.
1N5400-1N5408
Document number: DS28007 Rev. 8 - 3
1 of 3
www.diodes.com
September 2014
© Diodes Incorporated
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