1N4150UR-1_2,1N4150UR-1_2 pdf中文资料,1N4150UR-1_2引脚图,1N4150UR-1

1N4150UR-1_2: 产品描述0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小42KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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1N4150UR-1_2概述

0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA

	1N4150UR-1_2	1N3600UR	CDLL4150-1
描述	0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA	0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA	0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
是否无铅	-	含铅	含铅
是否Rohs认证	-	不符合	不符合
厂商名称	-	Microsemi	Microsemi
零件包装代码	-	DO-213AA	DO-213AA
包装说明	-	HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2	HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
针数	-	2	2
Reach Compliance Code	-	compliant	compliant
ECCN代码	-	EAR99	EAR99
其他特性	-	METALLURGICALLY BONDED	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接	-	ISOLATED	ISOLATED
配置	-	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	-	SILICON	SILICON
二极管类型	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	-	DO-213AA	DO-213AA
JESD-30 代码	-	O-LELF-R2	O-LELF-R2
JESD-609代码	-	e0	e0
元件数量	-	1	1
端子数量	-	2	2
最高工作温度	-	175 °C	175 °C
最低工作温度	-	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	-	0.3 A	0.3 A
封装主体材料	-	GLASS	GLASS
封装形状	-	ROUND	ROUND
封装形式	-	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
最大反向恢复时间	-	0.004 µs	0.004 µs
表面贴装	-	YES	YES
端子面层	-	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	-	WRAP AROUND	WRAP AROUND
端子位置	-	END	END
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	-	1	1

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