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DTD123ES

产品描述500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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DTD123ES概述

500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)

DTD123ES规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)39
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
VCEsat-Max0.3 V

DTD123ES相似产品对比

DTD123ES DTD123EK_1
描述 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors) 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
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