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2SJ462-T1: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, COMPACT PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小63KB，共6页; 制造商NEC(日电)

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2SJ462-T1概述

Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, COMPACT PACKAGE-3

	2SJ462-T1	2SJ462-AZ
描述	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, COMPACT PACKAGE-3	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 12V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, COMPACT PACKAGE-3
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	12 V	12 V
最大漏极电流 (ID)	2.5 A	2.5 A
最大漏源导通电阻	0.19 Ω	0.19 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	5 A	5 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

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