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JANTXV2N6782: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小146KB，共5页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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JANTXV2N6782概述

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

JANTXV2N6782规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Harris
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	3.5 A
最大漏源导通电阻	0.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	25 pF
JEDEC-95代码	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	14 A
认证状态	Not Qualified
参考标准	MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装	NO
端子面层	NOT SPECIFIED
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	45 ns
最大开启时间（吨）	40 ns
Base Number Matches	1

JANTXV2N6782相似产品对比

	JANTXV2N6782	2N6782TX	2N6782TXV	JANTX2N6782
描述	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	3.5 A	3.5 A	3.5 A	3.5 A
最大漏源导通电阻	0.6 Ω	0.6 Ω	0.6 Ω	0.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	25 pF	25 pF	25 pF	25 pF
JEDEC-95代码	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF	TO-205AF
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	15 W	15 W	15 W	15 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	14 A	14 A	14 A	14 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
参考标准	MILITARY STANDARD (USA)	MILITARY STANDARD (USA)	MILITARY STANDARD (USA)	MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	45 ns	45 ns	45 ns	45 ns
最大开启时间（吨）	40 ns	40 ns	40 ns	40 ns
Base Number Matches	1	1	1	1

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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