Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
最大漏源导通电阻 | 250 Ω |
FET 技术 | JUNCTION |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
工作模式 | DEPLETION MODE |
最高工作温度 | 125 °C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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